パワーMOS FET IRFP3206PBF

ホーム/パワーMOS FET/パワーMOS FET IRFP3206PBF

パワーMOS FET IRFP3206PBF

¥220

在庫4個

在庫4個

数量 Discount (%) 価格
1 - 9 ¥220
10 - 100 33.18 % ¥147
101+ 33.18 % ¥147
Categories: SKU: 61828

説明

メーカ: Infineon 
製品カテゴリー: MOSFET
取り付け様式: Through Hole 
パッケージ/ケース:TO-247-3 
トランジスタ極性:N-Channel
チャンネル数:1 Channel 
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 60 V 
Id - 連続ドレイン電流: 200 A 
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2.4 mOhms 
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V 
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 1.8 V 
Qg - ゲート電荷:170 nC 
最低動作温度:- 55 C 
最高動作温度:+ 175 C 
Pd - 電力損失:280 W 
構成:Single 
高さ:20.7 mm 
長さ:15.87 mm 
製品タイプ:MOSFET 
サブカテゴリ:MOSFETs 
トランジスタ タイプ:1 N-Channel 
幅:5.31 mm 
単位重量: 6 g

関連商品

タイトル

Go to Top