パワーMOS FET IRFP3206PBF
¥220
在庫4個
在庫4個
説明
メーカ: Infineon 製品カテゴリー: MOSFET 取り付け様式: Through Hole パッケージ/ケース:TO-247-3 トランジスタ極性:N-Channel チャンネル数:1 Channel Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 60 V Id - 連続ドレイン電流: 200 A Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2.4 mOhms Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 1.8 V Qg - ゲート電荷:170 nC 最低動作温度:- 55 C 最高動作温度:+ 175 C Pd - 電力損失:280 W 構成:Single 高さ:20.7 mm 長さ:15.87 mm 製品タイプ:MOSFET サブカテゴリ:MOSFETs トランジスタ タイプ:1 N-Channel 幅:5.31 mm 単位重量: 6 g